BFR181T和PRF957

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFR181T PRF957 PRF957,115

描述 硅NPN平面RF晶体管 Silicon NPN Planar RF Transistor超高频宽带晶体管 UHF wideband transistor射频双极晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 - SOT-323 SOT-323-3

引脚数 - - 3

封装 - SOT-323 SOT-323-3

长度 - - 2.2 mm

宽度 - - 1.35 mm

高度 - - 1 mm

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

频率 - - 8500 MHz

极性 - - NPN

耗散功率 - - 0.27 W

击穿电压(集电极-发射极) - - 10 V

增益 - - 14 dB

最小电流放大倍数(hFE) - - 50 @5mA, 6V

额定功率(Max) - - 270 mW

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 270 mW

材质 - - Silicon

工作温度 - - 175℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台