BD438和BD438S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD438 BD438S BD434

描述 STMICROELECTRONICS  BD438.  单晶体管 双极, PNP, 45 V, 36 W, 4 A, 30 hFE中功率线性和开关应用 Medium Power Linear and Switching ApplicationsSTMICROELECTRONICS  BD434  单晶体管 双极, PNP, 22 V, 36 W, 4 A, 140 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

针脚数 3 - 3

极性 Dual N-Channel, Dual P-Channel PNP PNP

耗散功率 36 W 36 W 36 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 22 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 @10mA, 5V 30 @10mA, 5V 40 @10mA, 5V

额定功率(Max) 36 W 36 W 36 W

直流电流增益(hFE) 130 - 140

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 36 W 36000 mW 36000 mW

频率 3 MHz 3 MHz -

额定功率 36 W - -

最大电流放大倍数(hFE) 130 - -

额定电压(DC) - -45.0 V -

额定电流 - -4.00 A -

集电极最大允许电流 - 4A -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

长度 7.8 mm - -

宽度 2.7 mm - -

高度 10.8 mm 11.2 mm -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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