对比图
型号 IRFR024NTRPBF RFD14N05L IRFR014PBF
描述 INFINEON IRFR024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05L 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 5 V, 2 VVISHAY IRFR014PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.7 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3
额定功率 38 W - 25 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.075 Ω 100 mΩ 0.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 45 W 48 W 25 W
阈值电压 4 V 2 V 4 V
输入电容 370pF @25V - 300pF @25V
漏源极电压(Vds) 55 V 50 V 60 V
漏源击穿电压 55 V 50.0 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 17A 14.0 A 7.70 A
上升时间 34 ns 24 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 370pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 45 W 48 W -
下降时间 27 ns 16 ns 19 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 45W (Tc) 48 W 2.5 W
额定电压(DC) - 50.0 V 60.0 V
额定电流 - 14.0 A 7.70 A
栅源击穿电压 - ±10.0 V -
长度 6.73 mm 6.8 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 2.5 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 6.3 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 -