对比图
型号 IRFB31N20D STP30NF20 STP20NF20
描述 Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3Pin(3+Tab) TO-220ABN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V
额定电流 31.0 A 30.0 A 18.0 A
耗散功率 3.1 W 125 W 90 W
产品系列 IRFB31N20D - -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 31.0 A 30.0 A 18.0 A
上升时间 38.0 ns 15.7 ns 30 ns
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 75.0 mΩ 0.125 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
阈值电压 - - 3 V
输入电容 - 1.60 nF 940 pF
栅电荷 - 38.0 nC 28.0 nC
漏源击穿电压 - 200 V 200 V
输入电容(Ciss) - 1597pF @25V(Vds) 940pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 125 W 90 W
下降时间 - 8.8 ns 10 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 125W (Tc) 110W (Tc)
通道数 - 1 -
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 15.75 mm 15.75 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99