对比图
型号 STP16NF25 STP9NK90Z FQP16N25
描述 N沟道250V - 0.195ヘ - 13A - DPAK / TO- 220 / TO- 220FP低栅极电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 250V - 0.195ヘ - 13A - DPAK/TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFET⑩ II Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STP9NK90Z. 场效应管, MOSFET, N沟道, 900V, 8A, TO-220QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 900 V 250 V
额定电流 - 8.00 A 16.0 A
通道数 - - 1
漏源极电阻 - 1.3 Ω 230 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 90 W 160 W 50 W
漏源极电压(Vds) 250 V 900 V 250 V
漏源击穿电压 - 900 V 250 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 6.50 A 8.00 A 16.0 A
上升时间 17 ns 13 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 680pF @25V(Vds) 2115pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 160 W 142 W
下降时间 17 ns 28 ns 75 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 100W (Tc) 160W (Tc) 142W (Tc)
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 3.75 V -
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.67 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 9.15 mm 15.75 mm 16.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99