FQT4N25和FQT4N25TF的区别_FQT4N25代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQT4N25 FQT4N25TF FQT4N25L99Z

描述 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT4N25TF 晶体管, MOSFET, N沟道, 830 mA, 250 V, 1.38 ohm, 10 V, 5 VPower Field-Effect Transistor, 0.83A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-223 TO-261-4 -

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-Channel -

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V -

连续漏极电流(Ids) 0.83A 830 mA -

额定电压(DC) - 250 V -

额定电流 - 830 mA -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 1.38 Ω -

耗散功率 - 2.5 W -

阈值电压 - 5 V -

漏源击穿电压 - 250 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

上升时间 - 45 ns -

输入电容(Ciss) - 200pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 2.5 W -

下降时间 - 22 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2.5W (Tc) -

封装 SOT-223 TO-261-4 -

长度 - 6.7 mm -

宽度 - 3.7 mm -

高度 - 1.7 mm -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -