对比图
型号 FDD2572 FDD2572_F085 IPD530N15N3GATMA1
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD2572 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 150 V, 54 mohm, 10 V, 4 VPowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。DPAK N-CH 150V 21A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 150 V - -
额定电流 29.0 A - -
额定功率 135 W - -
通道数 1 1 1
针脚数 3 - -
漏源极电阻 54 mΩ 54 mΩ 0.044 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 135 W 135 W 68 W
阈值电压 4 V - 3 V
输入电容 1.77 nF - -
栅电荷 26.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
漏源击穿电压 150 V 150 V 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 29.0 A 4A 21A
上升时间 14 ns 14 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 1770pF @25V(Vds) 1770pF @25V(Vds) 887pF @75V(Vds)
额定功率(Max) 135 W - -
下降时间 14 ns 14 ns 3 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 135 W 135W (Tc) 68W (Tc)
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -