对比图
型号 HUF76609D3 IRLU120NPBF
描述 10A ， 100V ， 0.165 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 10A, 100V, 0.165 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETN沟道,100V,10A,185mΩ@10V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-251-3 TO-251-3
引脚数 - 3
额定电压(DC) 100 V 100 V
额定电流 10.0 A 10.0 A
漏源极电阻 130 mΩ 0.265 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 49 W 48 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V
栅源击穿电压 ±16.0 V -
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10.0 A
输入电容(Ciss) 425pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 49 W 48 W
耗散功率(Max) 49W (Tc) -
通道数 - 1
产品系列 - IRLU120N
输入电容 - 440pF @25V
上升时间 - 35.0 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 TO-251-3 TO-251-3
长度 - 6.73 mm
高度 - 6.22 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
ECCN代码 EAR99 -