IXFH30N50P和IXTV30N50PS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH30N50P IXTV30N50PS APT5016BLLG

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH30N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 5 VTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMDTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-247-3 PLUS-220SMD TO-247-3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 30.0 A 30.0 A 30.0 A

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.2 Ω - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 460 W 460W (Tc) 329 W

阈值电压 5 V - -

输入电容 4.15 nF 4.15 nF 2.83 nF

栅电荷 70.0 nC 70.0 nC 72.0 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V - -

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 30.0 A

上升时间 24 ns - 10 ns

反向恢复时间 200 ns - -

输入电容(Ciss) 4150pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds) 2833pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 460 W - -

下降时间 24 ns - 14 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 460W (Tc) 460W (Tc) 329W (Tc)

宽度 5.3 mm - -

封装 TO-247-3 PLUS-220SMD TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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