对比图
型号 VND7NV0413TR VND7NV04TR-E VND7NV04-E
描述 â ???? OMNIFET IIA ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET âOMNIFET IIâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS VND7NV04TR-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 45 V, 0.06 ohm, 5 V, 500 mVSTMICROELECTRONICS VND7NV04-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 55 V, 60 mohm, 5 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 FET驱动器MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
输出接口数 1 1 1
输出电流 - 9 A 6 A
供电电流 - 0.1 mA 0.1 mA
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 60.0 mΩ 0.06 Ω 0.06 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 60000 mW 60 W 60 W
阈值电压 - 500 mV 2.5 V
漏源极电压(Vds) - 45 V 55 V
漏源击穿电压 40.0 V 40.0 V 40.0 V
连续漏极电流(Ids) 6.00 A 6.00 A 6.00 A
输出电流(Max) 6 A 6 A 6 A
输出电流(Min) - 6 A 6 A
输入数 1 1 1
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -
耗散功率(Max) 60000 mW 60000 mW 60000 mW
额定功率 - - 60 W
输出电压 - - 40 V
通道数 - - 1
长度 - 6.6 mm -
宽度 - 6.2 mm -
高度 - 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99