对比图
型号 IGB20N60H3 SKB15N60HS IRG4PC50KDPBF
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin TO-263 T/R高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 ％，相比上一代 High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generationCo-Pack IGBT 超过 21A，InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-247-3
引脚数 - - 3
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
额定功率 170 W - 104 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V - 600 V
额定功率(Max) 170 W - 200 W
针脚数 - - 3
极性 - - N-Channel
耗散功率 - - 104 W
上升时间 - - 49.0 ns
反向恢复时间 - - 50 ns
耗散功率(Max) - - 200000 mW
长度 - 10.25 mm 15.9 mm
宽度 - 9.9 mm 5.3 mm
高度 - 4.4 mm 20.3 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-247-3
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 -40℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 - EAR99