IDH12S60C和IDT03S60C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDH12S60C IDT03S60C IDH08S60C

描述 INFINEON  IDH12S60C  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 2G 600V系列, 单, 600 V, 12 A, 30 nC, TO-2202ndGeneration的thinQ ! TM SiC肖特基二极管 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky DiodeINFINEON  IDH08S60C  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 2G 600V系列, 单, 600 V, 8 A, 19 nC, TO-220

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-220-2 TO-220 TO-220-2

额定功率 115 W - 75 W

负载电流 12 A - 8 A

反向恢复时间 0 ns - 0 ns

正向电流 12 A - 8 A

正向电压(Max) 1.7 V - 1.7V @8A

工作结温(Max) 175 ℃ - 175 ℃

正向电压 1.7V @12A - -

热阻 1.3℃/W (RθJC) - -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 98 A - -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

正向电流(Max) - 4.5 A -

耗散功率(Max) - 25000 mW -

封装 TO-220-2 TO-220 TO-220-2

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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