对比图
型号 BFG135 BFG135,115 MRF587
描述 NXP BFG135 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 7 GHz, 1 W, 150 mA, 130 hFERF Bipolar Transistors NPN 150mA 15V 7GHz射频线NPN硅高频晶体管噪声系数3.0分贝@ 500MHz的 The RF Line NPN Silicon High Frequency Transistor Noise Figure 3.0 dB@ 500MHz
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) M/A-Com
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 3 -
封装 SOT-223 TO-261-4 244A-01
针脚数 3 - -
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 1 W 1000 mW 5 W
直流电流增益(hFE) 130 130 -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
耗散功率(Max) 1 W 1000 mW -
击穿电压(集电极-发射极) - 15 V 17 V
增益 - - 13 dB
最小电流放大倍数(hFE) - 80 @100mA, 10V 50 @50mA, 5V
频率 - 7000 MHz -
增益频宽积 - 7000 MHz -
最大电流放大倍数(hFE) - 80 -
额定功率(Max) - 1 W -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
封装 SOT-223 TO-261-4 244A-01
长度 - 6.7 mm -
宽度 - 3.7 mm -
高度 - 1.7 mm -
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
材质 - Silicon -
工作温度 - 175℃ (TJ) -