FQP45N15V2和STP5NK100Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQP45N15V2 STP5NK100Z PSMN035-150P@127

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP45N15V2  晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 150 V, 34 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STP5NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VPSMN035-150P@127

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

额定电压(DC) 150 V 1.00 kV -

额定电流 45.0 A 3.50 A -

额定功率 - 125 W -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 34 mΩ 3.7 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 220 W 125 W -

阈值电压 4 V 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 150 V 1 kV -

漏源击穿电压 150 V 1.00 kV -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 45.0 A 3.50 A -

上升时间 232 ns 7.7 ns -

输入电容(Ciss) 3030pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 220 W 125 W -

下降时间 246 ns 19 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 220W (Tc) 125W (Tc) -

长度 10.1 mm 10.4 mm -

宽度 4.7 mm 4.6 mm -

高度 9.4 mm 9.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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