IRFR9024NPBF和STD10PF06T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR9024NPBF STD10PF06T4 IRFR9024NTRPBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFR9024NPBF  场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 11A, D-PAK 新STMICROELECTRONICS  STD10PF06T4  晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 VINFINEON  IRFR9024NTRPBF  场效应管, MOSFET, P沟道

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -55.0 V -60.0 V -

额定电流 -11.0 A -10.0 A -

通道数 - 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 175 mΩ 0.18 Ω 0.175 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 38 W 40 W 38 W

阈值电压 - 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 -55.0 V 60 V 55 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) -11.0 A 10.0 A 11A

上升时间 55.0 ns 40 ns 55 ns

输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 850pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 38 W 40 W 38 W

下降时间 - 10 ns 37 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 40W (Tc) 38W (Tc)

产品系列 IRFR9024N - -

额定功率 - - 38 W

输入电容 - - 350 pF

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm

宽度 - 6.2 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.4 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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