对比图
型号 TLE2082CDG4 TLE2082IDG4 TLE2082CD
描述 TEXAS INSTRUMENTS TLE2082CDG4 运算放大器, 双路, 10 MHz, 2个放大器, 35 V/µs, ± 2.25V 至 ± 19V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS TLE2082IDG4 运算放大器, 双路, 10 MHz, 2个放大器, 35 V/µs, ± 2.25V 至 ± 19V, SOIC, 8 引脚JFET 输入运算放大器，Excalibur TLE 系列与早期系列的 JFET 输入放大器相比，Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器，与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比，带宽加倍，但功耗无显著增加；此外，它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比，TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍，转换速率是其三倍，且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。### 运算放大器，Texas Instruments
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
电源电压(DC) 38.0 V 38.0 V -
输出电流 ≤80 mA ≤80 mA ≤80 mA
供电电流 3.1 mA 3.1 mA 3.1 mA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
针脚数 8 8 -
耗散功率 0.725 W 725 mW 725 mW
共模抑制比 70 dB 70 dB 80dB ~ 98dB
输入补偿漂移 2.40 µV/K 2.40 µV/K 2.40 µV/K
带宽 10 MHz 10 MHz 9.4 MHz
转换速率 40.0 V/μs 40.0 V/μs 40.0 V/μs
增益频宽积 9.4 MHz 9.4 MHz 9.4 MHz
输入补偿电压 1.1 mV 1.1 mV 1.1 mV
输入偏置电流 20 pA 20 pA 20 pA
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃
增益带宽 10 MHz 10 MHz 10 MHz
耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW
共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB
电源电压(Max) 19 V 19 V 38 V
电源电压(Min) - - 4.5 V
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 4.9 mm 4.9 mm
宽度 - 3.91 mm 3.91 mm
高度 - 1.58 mm 1.58 mm
工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Each Each Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15