对比图
型号 IRF7389 IRF7389PBF NDS8958
描述 SOIC N+P 30V 7.3A/5.3AN/P 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备，以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项，设计人员可以选择双 N/P 通道配置。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。双N和P沟道增强型场效应晶体管 Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 晶体管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电流 7.30 A - 2.90 A
通道数 - - 2
漏源极电阻 - 0.023 Ω 35 mΩ
极性 N+P N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 - 2.5 W 2 W
阈值电压 - 1 V 1.6 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - - 30 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.30 A 7.3A/5.3A 5.30 A
输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds) 720pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 900 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
产品系列 IRF7389 - -
额定功率 - 2.5 W -
针脚数 - 8 -
热阻 - 50℃/W (RθJA) -
耗散功率(Max) - 2.5 W -
长度 - 5 mm 4.9 mm
宽度 - 4 mm 3.9 mm
高度 - 1.5 mm 1.75 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2013/06/20
ECCN代码 - - EAR99