STW18NM80和STW25NM60ND

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STW18NM80 STW25NM60ND SPP07N60C3

描述 STMICROELECTRONICS  STW18NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 VN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsINFINEON  SPP07N60C3..  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.25 Ω 0.13 Ω 0.54 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 190 W 160 W 83 W

阈值电压 4 V 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 800 V 600 V 650 V

上升时间 28 ns 30 ns 3.5 ns

输入电容(Ciss) 2070pF @50V(Vds) 2400pF @50V(Vds) 790pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 190 W 160 W 83 W

下降时间 50 ns 40 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 190W (Tc) 160W (Tc) -

输入电容 - 2400 pF -

连续漏极电流(Ids) - 21A 7.30 A

额定电压(DC) - - 650 V

额定电流 - - 7.30 A

通道数 - - 1

工作结温(Max) - - 150 ℃

长度 15.75 mm 15.75 mm 10 mm

宽度 5.15 mm 5.15 mm 4.4 mm

高度 20.15 mm 20.15 mm 15.65 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

香港进出口证 NLR - NLR

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