STW18NM80

STW18NM80图片1
STW18NM80图片2
STW18NM80图片3
STW18NM80图片4
STW18NM80图片5
STW18NM80图片6
STW18NM80图片7
STW18NM80图片8
STW18NM80图片9
STW18NM80图片10
STW18NM80图片11
STW18NM80图片12
STW18NM80图片13
STW18NM80图片14
STW18NM80图片15
STW18NM80图片16
STW18NM80概述

STMICROELECTRONICS  STW18NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3


立创商城:
N沟道 800V 17A


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW18NM80, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装


贸泽:
MOSFET N-channel 800 V MDMesh


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STW18NM80  Power MOSFET, Mdmesh, N Channel, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247


STW18NM80中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 190 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 800 V

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 2070pF @50VVds

额定功率Max 190 W

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买STW18NM80
型号: STW18NM80
描述:STMICROELECTRONICS  STW18NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V
替代型号STW18NM80
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STW18NM80

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STW26NM60N

意法半导体

类似代替

STW18NM80和STW26NM60N的区别

STW45NM50

意法半导体

类似代替

STW18NM80和STW45NM50的区别

STW25NM60ND

意法半导体

类似代替

STW18NM80和STW25NM60ND的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台