对比图
型号 ZXMN3F31DN8TA ZXMN3G32DN8TA SI4804BDY-T1-E3
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A Automotive 8Pin SO T/RZXMN3G32 系列 30 V 0.028 Ohm 双 N 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8MOSFET N-CH DUAL 30V 5.7A 8-SOIC
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
通道数 2 - -
漏源极电阻 24 mΩ - -
极性 N-CH Dual N-Channel -
耗散功率 2.1 W 2.1 W -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V - -
连续漏极电流(Ids) 7.3A 7.10 A -
上升时间 3.3 ns 3.1 ns -
输入电容(Ciss) 608pF @15V(Vds) 472pF @15V(Vds) -
额定功率(Max) 1.8 W 1.25 W 1.1 W
下降时间 8 ns 9.7 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2100 mW 2100 mW -
长度 5 mm 5 mm -
宽度 4 mm 4 mm -
高度 1.5 mm 1.5 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -