BAS21-HE3-08和BAS21-V-GS18

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS21-HE3-08 BAS21-V-GS18 BAS21,215

描述 Rectifier Diode, 1Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3小信号开关二极管,高压 Small Signal Switching Diodes, High VoltageNXP  BAS21,215  二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A

数据手册 ---

制造商 Vishay Intertechnology Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)

分类 功率二极管小信号二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 - SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 - - 3

正向电压 - 1.25 V 1.25V @200mA

正向电流 - 0.2 A 200 mA

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃ -65 ℃

针脚数 - - 3

热阻 - - 500℃/W (RθJA)

反向恢复时间 - - 50 ns

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 9 A

正向电压(Max) - - 1.25 V

正向电流(Max) - - 200 mA

工作结温 - - 150℃ (Max)

耗散功率(Max) - - 250 mW

长度 - 3.1 mm 3 mm

宽度 - 1.43 mm 1.4 mm

高度 - 1.05 mm 1 mm

封装 - SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃

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