对比图
型号 MTP23P06VG SUP75P03-07-E3 IRF9530PBF
描述 -23A,-60V,P沟道功率MOSFETP通道30 -V （ D- S） 175℃ MOSFET P-Channel 30-V (D-S) 175 °C MOSFET功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) VISHAY (威世) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - 187 W 88 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 120 mΩ 0.0055 Ω 0.3 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 90W (Tc) 3.75 W 88 W
阈值电压 - 1 V 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 30 V 100 V
栅源击穿电压 ±15.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 23.0 A -75.0 A -12.0 A
上升时间 98.3 ns 225 ns 52 ns
输入电容(Ciss) 1620pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds) 860pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 90 W 3.75 W 88 W
下降时间 62 ns 210 ns 39 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 90W (Tc) 3750 mW 88000 mW
额定电压(DC) -60.0 V - -100 V
额定电流 -23.0 A - -12.0 A
输入电容 1.62 nF - -
栅电荷 50.0 nC - -
漏源击穿电压 60.0 V - -
长度 - 10.41 mm 10.41 mm
宽度 - 4.7 mm 4.7 mm
高度 - 9.01 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 - 50 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 - -