对比图
型号 83-1T IRF7831 IRFHM831TRPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SOP-8SOIC N-CH 30V 21AN 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 8
封装 - SOIC-8 QFN-8
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 21.0 A -
漏源极电阻 - 3.10 mΩ 0.0066 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 2.50 W 2.5 W
产品系列 - IRF7831 -
漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30.0V (min) 30 V
连续漏极电流(Ids) - 21.0 A 14A
上升时间 - 10.0 ns 12 ns
额定功率 - - 2.5 W
通道数 - - 1
阈值电压 - - 1.8 V
输入电容(Ciss) - - 1050pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 2.5 W
下降时间 - - 4.7 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 2.5W (Ta), 27W (Tc)
封装 - SOIC-8 QFN-8
长度 - - 3.3 mm
宽度 - - 3.3 mm
高度 - - 1 mm
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99