IRF7831参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF7831概述

SOIC N-CH 30V 21A

Benefits:

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC

IRF7831中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 21.0 A

漏源极电阻 3.10 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.50 W

产品系列 IRF7831

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0V min

连续漏极电流Ids 21.0 A

上升时间 10.0 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRF7831

型号： IRF7831

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOIC N-CH 30V 21A

替代型号IRF7831