对比图
型号 IRFPG50PBF IXFH6N100F IRFPG40PBF
描述 VISHAY IRFPG50PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4 VIXYS RF IXFH6N100F 晶体管, 射频FET, 1 kV, 6 A, 180 W, 500 kHz, TO-247ADN 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) IXYS Semiconductor Vishay Semiconductor (威世)
分类 中高压MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 1.00 kV - 1.00 kV
额定电流 6.10 A - 4.30 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 2 Ω 1.9 Ω 3.5 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 180 W 180 W 150 W
阈值电压 4 V 5 V 4 V
输入电容 2800pF @25V - 1600pF @25V
漏源极电压(Vds) 1 kV 1 kV 1 kV
漏源击穿电压 1000 V 1000 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) 6.10 A 6.00 A 4.30 A
上升时间 35 ns 8.6 ns 33.0 ns
输入电容(Ciss) 2800pF @25V(Vds) 1770pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 190 W 180W (Tc) 150 W
通道数 - 1 -
下降时间 36 ns 8.3 ns -
额定功率 190 W - -
长度 15.87 mm 16.26 mm 15.87 mm
宽度 5.31 mm 5.3 mm 5.31 mm
高度 20.7 mm 21.46 mm 20.7 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 - Silicon -
包装方式 Tube Tube Tube
产品生命周期 - Not Recommended -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -