对比图
型号 IPU60R2K1CEAKMA1 IPU60R2K1CEBKMA1
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-251-3 TO-251-3
额定功率 - 22 W
通道数 - 1
针脚数 3 3
漏源极电阻 1.8 Ω 2.1 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 38 W 38 W
阈值电压 3 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
漏源击穿电压 - 600 V
连续漏极电流(Ids) 3.7A 2.3A
上升时间 7 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 140pF @100V(Vds) 140pF @100V(Vds)
下降时间 50 ns 50 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃
耗散功率(Max) 38000 mW 22W (Tc)
长度 6.73 mm 6.73 mm
宽度 2.38 mm 2.38 mm
高度 6.22 mm 6.22 mm
封装 TO-251-3 TO-251-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free