MMUN2116LT1G和MUN2113T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMUN2116LT1G MUN2113T1 MMUN2115LT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMUN2116LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, SOT-23偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorsON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SC-59 SOT-23-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA 100 mA

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

耗散功率 0.4 W - 246 mW

最小电流放大倍数(hFE) 160 @5mA, 10V - 160 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 160 - -

额定功率(Max) 246 mW - 400 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 400 mW - 400 mW

直流电流增益(hFE) - - 250

封装 SOT-23-3 SC-59 SOT-23-3

长度 3.04 mm - 3.04 mm

宽度 1.3 mm - 1.4 mm

高度 1.01 mm - 1.01 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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