对比图
型号 IXFC26N50P IXTC26N50P R5016ANX
描述 Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 220Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 22010V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - - 3
封装 ISOPLUS-220 TO-220-3 TO-220-3
极性 N-Channel - N-CH
耗散功率 130000 mW 130 W 77 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 26.0 A 15.0 A 16A
上升时间 - 25 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 3600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 130 W - 50 W
下降时间 - 20 ns 55 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 130W (Tc) 130W (Tc) 50W (Tc)
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 26.0 A 26.0 A -
漏源极电阻 260 mΩ 260 mΩ -
输入电容 3.60 nF 3.60 nF -
栅电荷 65.0 nC 65.0 nC -
漏源击穿电压 500 V 500 V -
通道数 - 1 -
封装 ISOPLUS-220 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 11 mm -
宽度 - 5 mm -
高度 - 16 mm -
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 End of Life End of Life Not For New Designs
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free