对比图
型号 IRFB3207PBF IRFB3207ZPBF IRFB3077PBF
描述 N沟道 75 V 300 W 180 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-220ABINFINEON IRFB3207ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.1 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFB3077PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 75 V, 3.3 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 330 W 300 W 370 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 0.0036 Ω 0.0041 Ω 0.0033 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 300 W 300 W 370 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 7600 pF 6920 pF 9400 pF
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 170A 170A 210A
上升时间 120 ns 68 ns 87 ns
输入电容(Ciss) 7600pF @50V(Vds) 6920pF @50V(Vds) 9400pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W 370 W
下降时间 74 ns 68 ns 95 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 330W (Tc) 300000 mW 370W (Tc)
漏源击穿电压 75 V - 75 V
通道数 - - 1
长度 10.66 mm 10.66 mm 10.67 mm
宽度 22.86 mm 4.82 mm 4.82 mm
高度 4.82 mm 9.02 mm 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99