BSR30和BSR30,115

对比图

型号 BSR30 BSR30,115 933418110115

描述 NXP  BSR30  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 100 MHz, 1.35 W, -1 A, 30 hFE 新NXP  BSR30,115  双极性晶体管, PNPPower Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-89 SOT-89-3 -

频率 - 100 MHz -

针脚数 3 3 -

极性 PNP PNP, P-Channel -

耗散功率 1.35 W 1.35 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V -

集电极最大允许电流 - 1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @100mA, 5V -

额定功率(Max) - 1.35 W -

直流电流增益(hFE) 30 40 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1350 mW -

高度 - 1.6 mm -

封装 SOT-89 SOT-89-3 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -