对比图
型号 IRF7811AVPBF SI4134DY-T1-GE3 IRF7811AVTRPBF
描述 INFINEON IRF7811AVPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.8 A, 30 V, 0.011 ohm, 4.5 V, 3 VVISHAY SI4134DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 11.5 mohm, 10 V, 1.8 V晶体管, MOSFET, N沟道, 10.8 A, 30 V, 0.011 ohm, 4.5 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 3.5 W - 3.5 W
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.011 Ω 0.0115 Ω 14 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 5 W 2.5 W
阈值电压 3 V 1.8 V 3 V
输入电容 - - 1801pF @10V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - - 30 V
连续漏极电流(Ids) 10.8A - 10.8A
上升时间 21 ns - 21 ns
输入电容(Ciss) 1801pF @10V(Vds) 846pF @15V(Vds) 1801pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - 2.5 W
下降时间 10 ns - 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW 2.5W (Ta)
长度 5 mm 5 mm 5 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
宽度 4 mm 4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active - Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -