对比图
型号 APT30GP60BG HGTG20N60A4D HGTG30N60A4D
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 463000mW 3Pin(3+Tab) TO-247单晶体管, IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚HGTG30N60A4系列 600 V 75 A 法兰安装 SMPS N沟道 IGBT-TO-247
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 - 3 3
耗散功率 463000 mW 290 W 463 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
反向恢复时间 - 35 ns 55 ns
额定功率(Max) 463 W 290 W 463 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 463000 mW 290000 mW 463000 mW
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 30.0 A - -
上升时间 - 12 ns -
下降时间 - 32 ns -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99