CY62157DV30LL-55BVXI和CY62157EV30LL-45BVXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62157DV30LL-55BVXI CY62157EV30LL-45BVXI

描述 8兆位( 512K ×16 )的MoBL静态RAM 8-Mbit (512K x 16) MoBL Static RAMSRAM 8 Mb (512 K x 16) 3 V 超低待机和有功功率 48-VFBGA 工业温度

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 48

封装 VFBGA-48 VFBGA-48

频率 - 1.00 MHz

电源电压(DC) 3.00 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

时钟频率 - 1 MHz

位数 - 16

存取时间 - 45 ns

内存容量 - 1000000 B

存取时间(Max) - 45 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V

长度 - 6 mm

宽度 - 8 mm

高度 - 0.79 mm

封装 VFBGA-48 VFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tray Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - 3A991.b.2.a

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