对比图
型号 CY7C1312KV18-300BZC CY7C1312KV18-300BZXI CY7C1312KV18-300BZXC
描述 18 - Mbit的QDR ？ II SRAM双字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst ArchitectureCY7C1312KV18 系列 18-Mb (1 M x 18) 1.8 V 静态 RAM - FBGA-16518 - Mbit的QDR ？ II SRAM双字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
供电电流 - 640 mA -
时钟频率 - 300 MHz 300 MHz
位数 18 18 18
存取时间 - 0.45 ns -
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 - 3A991.b.2.a -