IPI037N06L3G和IPP037N06L3GXKSA1

对比图

型号 IPI037N06L3G IPP037N06L3GXKSA1 IPP037N06L3G

描述 MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP037N06L3GXKSA1, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装60V,90A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 3 -

漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V

输入电容(Ciss) - 10000pF @30V(Vds) 13000pF @30V(Vds)

额定功率(Max) - - 167 W

额定功率 - 167 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.003 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 167 W 167 W -

阈值电压 - 1.7 V -

连续漏极电流(Ids) - 90A -

上升时间 - 78 ns -

下降时间 - 13 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 167W (Tc) -

封装 TO-262 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.36 mm -

宽度 - 15.95 mm -

高度 - 4.57 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -