PBSS5620PA和PBSS5630PA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS5620PA PBSS5630PA SS56

描述 Small Signal Bipolar TransistorNXP  PBSS5630PA  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 80 MHz, 2.1 W, -6 A, 345 hFE6000mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2 X 2 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 - 3 -

封装 - SOT-1061 -

针脚数 - 3 -

极性 - PNP -

耗散功率 - 2.1 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V -

集电极最大允许电流 - 6A -

直流电流增益(hFE) - 345 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 - SOT-1061 -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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