IRF7341和STS4DNF60L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7341 STS4DNF60L AO4828

描述 Trans MOSFET N-CH 55V 4.7A 8Pin SOICSTMICROELECTRONICS  STS4DNF60L  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 VN沟道,60V,4.5A,56mΩ@10V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 N沟道MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V -

额定电流 4.70 A 4.00 A -

通道数 - 2 -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.045 Ω -

极性 - N-Channel, Dual N-Channel N-CH

耗散功率 2 W 2.5 W 2 W

阈值电压 - 1.7 V -

漏源极电压(Vds) 55.0 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60 V -

栅源击穿电压 - ±15.0 V -

连续漏极电流(Ids) 4.70 A 4.00 A 4.5A

上升时间 3.20 ns 28 ns 2.3 ns

输入电容(Ciss) - 1030pF @25V(Vds) 540pF @30V(Vds)

额定功率(Max) - 2 W 2 W

下降时间 - 10 ns 1.9 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 2 W

产品系列 IRF7341 - -

额定功率 - - 1.28 W

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.25 mm -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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