对比图
描述 NXP BLF278 晶体管, 射频FET, 125 V, 18 A, 500 W, 400 MHz, 520 MHz, SOT-262A1射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF power transistors HF/VHF/UHF N-channel MOSFETs射频MOSFET线200 / 150W ，为500MHz ， 50V The RF MOSFET Line 200/150W, 500MHz, 50V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) M/A-Com
分类 晶体管MOS管晶体管
安装方式 Flange Flange Flange
引脚数 5 3 -
封装 SOT-2621 M-244 375-04
频率 - 175 MHz 225 MHz
额定电压(DC) 125 V 125 V -
额定电流 18.0 A 40 A -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 500 W 500000 mW -
输入电容 - 480 pF -
漏源极电压(Vds) 125 V 125 V -
漏源击穿电压 125V (min) 125 V 125V (min)
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 40.0 A -
输出功率 300 W 300 W 200 W
增益 20.0 dB 16 dB 17 dB
测试电流 - 500 mA 100 mA
输入电容(Ciss) - 480pF @50V(Vds) -
工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 500000 mW -
额定电压 - 125 V 125 V
电源电压(DC) 50.0 V - -
针脚数 5 - -
封装 SOT-2621 M-244 375-04
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tray Tube Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - EAR99 -