APT5010JFLL和APT5010JLL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT5010JFLL APT5010JLL STE48NM50

描述 SOT-227 N-CH 500V 41ASOT-227 N-CH 500V 41ASTMICROELECTRONICS  STE48NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 550 V, 0.08 ohm, 30 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 SOT-227 SOT-227 ISOTOP-4

额定电压(DC) 500 V 500 V 550 V

额定电流 41.0 A 41.0 A 48.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 4

漏源极电阻 - - 80 mΩ

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 378 W - 450 W

阈值电压 - - 4 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 550 V

漏源击穿电压 - - 500 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 41.0 A 41.0 A 48.0 A

上升时间 13 ns 13 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 4360pF @25V(Vds) 4360pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 450 W

下降时间 3 ns 3 ns 23 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 378000 mW 378000 mW 450W (Tc)

输入电容 4.36 nF 4.36 nF -

栅电荷 95.0 nC 95.0 nC -

长度 - - 38.2 mm

宽度 - - 25.5 mm

高度 - - 12.2 mm

封装 SOT-227 SOT-227 ISOTOP-4

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 ECL99 - -

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