BUZ325和IRFP350

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUZ325 IRFP350 IRFP350PBF

描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorMOSFET N-CH 400V 16A TO-247ACTrans MOSFET N-CH 400V 16A 3Pin(3+Tab) TO-247AC

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-218 TO-247-3 TO-247-3

极性 N-CH - -

漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 400 V

连续漏极电流(Ids) 12.5A - -

耗散功率 - 190W (Tc) 190 W

输入电容(Ciss) - 2600pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 190W (Tc) 190W (Tc)

上升时间 - - 49 ns

额定功率(Max) - - 190 W

下降时间 - - 47 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-218 TO-247-3 TO-247-3

长度 - - 15.87 mm

宽度 - - 5.31 mm

高度 - - 20.82 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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