对比图
型号 IPD640N06LGBTMA1 IRFR024NPBF FDD5612
描述 INFINEON IPD640N06LGBTMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 0.047 ohm, 10 V, 1.6 VINFINEON IRFR024NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD5612 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 0.036 ohm, 10 V, 2.4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 18.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.047 Ω 0.075 Ω 0.036 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 47 W 38 W 42 W
阈值电压 1.6 V 4 V 2.4 V
输入电容 - 370pF @25V 660 pF
栅电荷 - - 7.50 nC
漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 60 V
漏源击穿电压 - 55 V 60 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 18A 17A 18.0 A
上升时间 25 ns 34 ns 4 ns
输入电容(Ciss) 470pF @30V(Vds) 370pF @25V(Vds) 660pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 47 W 45 W 1.6 W
下降时间 32 ns 27 ns 4 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 47W (Tc) 45W (Tc) 42 W
额定功率 - 38 W -
长度 6.5 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99