FDG327NZ和SI1426DH

对比图

型号 FDG327NZ SI1426DH FDG315N

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG327NZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.068 ohm, 4.5 V, 700 mVMOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG315N  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 120 mohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

封装 SC-70-6 SC-70 SC-70-6

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 6 - 6

封装 SC-70-6 SC-70 SC-70-6

长度 2 mm - 2 mm

宽度 1.25 mm - 1.25 mm

高度 1 mm - 1 mm

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

额定电压(DC) 20.0 V - 30.0 V

额定电流 1.50 A - 2.00 A

通道数 - - 1

针脚数 6 - 6

漏源极电阻 0.068 Ω - 0.12 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 420 mW - 750 mW

阈值电压 700 mV - 1.8 V

输入电容 412 pF - 220 pF

栅电荷 4.20 nC - 2.10 nC

漏源极电压(Vds) 20 V - 30 V

漏源击穿电压 20.0 V - 30 V

栅源击穿电压 ±8.00 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 1.50 A - 2.00 A

上升时间 12 ns - 11 ns

输入电容(Ciss) 412pF @10V(Vds) - 220pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 380 mW - 480 mW

下降时间 18 ns - 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 420mW (Ta) - 750mW (Ta)

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 EAR99 - EAR99