对比图
描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN射频功率晶体管800-960兆赫蜂窝基站 RF POWER TRANSISTORS 800-960 MHz CELLULAR BASE STATIONRF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
数据手册 ---
制造商 Advanced Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Motorola (摩托罗拉)
分类 MOS管
封装 - M208 CASE 375A-01
安装方式 - Surface Mount -
封装 - M208 CASE 375A-01
长度 - 34.16 mm -
宽度 - 10.34 mm -
高度 - 5.21 mm -
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
耗散功率 - 300 W -
增益频宽积 - 960 MHz -
最小电流放大倍数(hFE) - 25 -
最大电流放大倍数(hFE) - 120 -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - 65 ℃ -