对比图
型号 IRF6645 IRF6645TRPBF
描述 Direct-FET N-CH 100V 5.7A单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 7 7
封装 Direct-FET Direct-FET
额定电压(DC) - -
额定电流 - -
极性 N-CH N-CH
耗散功率 3 W 2.2 W
产品系列 - -
输入电容 - 890 pF
栅电荷 - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
漏源击穿电压 - -
连续漏极电流(Ids) 5.7A 5.7A
上升时间 5 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 890pF @25V(Vds) 890pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - -
额定功率 - 42 W
针脚数 - 7
漏源极电阻 - 0.028 Ω
阈值电压 - 4.9 V
下降时间 5.1 ns 5.1 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta), 42W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
封装 Direct-FET Direct-FET
长度 4.85 mm 3.95 mm
宽度 3.95 mm -
高度 0.7 mm -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
材质 Silicon Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)