SI2304DDS-T1-GE3和TN0201K-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI2304DDS-T1-GE3 TN0201K-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3

描述 VISHAY  SI2304DDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.049 ohm, 10 V, 2.2 VVISHAY  TN0201K-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 420 mA, 20 V, 800 mohm, 4.5 V, 2 VVISHAY  SI2306BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-236 SOT-23 TO-236

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.049 Ω 0.8 Ω 0.038 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.1 W 350 mW 1.25 W

阈值电压 2.2 V 2 V 3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 3.60 A 420 mA 3.16 A

上升时间 50 ns - 12 ns

输入电容(Ciss) 235pF @15V(Vds) - 305pF @15V(Vds)

下降时间 22 ns - 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1.7 W - 0.75 W

漏源击穿电压 - - 30 V

热阻 - - 100℃/W (RθJA)

长度 3.04 mm - 3.04 mm

宽度 1.4 mm - 1.4 mm

高度 1.02 mm - 1.02 mm

封装 TO-236 SOT-23 TO-236

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -

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