IRFR9024NPBF和IRFR9024PBF

对比图

型号 IRFR9024NPBF IRFR9024PBF IRFR9014PBF

描述 P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。VISHAY  IRFR9024PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 8.8 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 VVISHAY  IRFR9014PBF  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 5.1A, D-PAK

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V

额定电流 - -8.80 A -5.10 A

额定功率 38 W 42 W 25 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.175 Ω 0.28 Ω 0.5 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 38 W 42 W 25 W

漏源极电压(Vds) 55 V -60.0 V 60 V

漏源击穿电压 - -60.0 V -60.0 V

连续漏极电流(Ids) 11A -8.80 A -5.10 A

上升时间 55 ns 68 ns 63.0 ns

下降时间 37 ns 29 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

阈值电压 4 V - -

输入电容 350 pF - -

反向恢复时间 47 ns - -

正向电压(Max) 1.6 V - -

输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) - 270pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 38 W - -

工作结温 -55℃ ~ 150℃ - -

耗散功率(Max) 38W (Tc) - 2.5 W

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.38 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

材质 Silicon - -

包装方式 Tube Tube Tube

产品生命周期 Not Recommended for New Designs - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free