DS1270AB-100和DS1270W-100IND

对比图

型号 DS1270AB-100 DS1270W-100IND DS1270AB-70#

描述 Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDMA36, 0.74INCH, DIP-36IC NVSRAM 16Mbit 100NS 36EDIPIC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 36 36

封装 EDIP-36 EDIP-36 DIP-36

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)

时钟频率 - 100 GHz 70.0 GHz

存取时间 100 ns 100 ns 70 ns

内存容量 - 16000000 B 16000000 B

电源电压 4.75V ~ 5.25V 3V ~ 3.6V 4.75V ~ 5.25V

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -

封装 EDIP-36 EDIP-36 DIP-36

长度 53.34 mm 53.34 mm -

宽度 18.8 mm 18.8 mm -

高度 10.29 mm 10.29 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅