对比图
描述 PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR晶体管放大器PNP硅 Amplifier Transistor PNP SiliconNPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3
引脚数 3 3 -
额定电压(DC) -25.0 V -25.0 V 45.0 V
额定电流 -100 mA -200 mA 100 mA
极性 - PNP NPN
击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 45 V
集电极最大允许电流 - 0.2A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 120 @2mA, 5V 120 @2mA, 1V 10 @10µA, 5V
最大电流放大倍数(hFE) 800 360 300
额定功率(Max) 500 mW 625 mW 625 mW
耗散功率 500 mW 625 mW -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 625000 mW -
封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3
宽度 4.19 mm 4.19 mm -
长度 5.2 mm - -
高度 5.33 mm - -
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
材质 - Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -