FDC6327C和SI3586DV-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDC6327C SI3586DV-T1-GE3 AO6601

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6327C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 1.9 A, 20 V, 0.069 ohm, 4.5 V, 900 mVMOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP30V,2.3A,互补型MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 SOT-457

额定功率 - - 0.73 W

极性 N-Channel, P-Channel, Dual N-Channel, Dual P-Channel N-Channel, P-Channel N+P

耗散功率 960 mW - 1.15 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 2.70 A, 1.90 A 2.50 A 3.4A/2.3A

输入电容(Ciss) 325pF @10V(Vds) - 285pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 700 mW 830 mW 1.15 W

耗散功率(Max) 0.96 W - 1.15 W

额定电流 2.70 A - -

针脚数 6 - -

漏源极电阻 0.069 Ω - -

阈值电压 900 mV - -

输入电容 315 pF - -

栅电荷 2.85 nC - -

漏源击穿电压 20.0 V - -

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

上升时间 14.0 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 SOT-457

长度 3 mm - -

宽度 1.7 mm - -

高度 1 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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