对比图
型号 RRH100P03GZETB RRH100P03TB1
描述 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -30 V, 0.009 ohm, -10 V, -2.5 VP-CH 4V
数据手册 --
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOP-8 SOP-8
引脚数 8 -
极性 P-Channel P-CH
耗散功率 2 W 650mW (Ta)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
上升时间 60 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 3600pF @10V(Vds) 3600pF @10V(Vds)
下降时间 100 ns 100 ns
耗散功率(Max) 650mW (Ta) 650mW (Ta)
通道数 1 -
针脚数 8 -
漏源极电阻 9 mΩ -
阈值电压 2.5 V -
漏源击穿电压 30 V -
连续漏极电流(Ids) 10A -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
封装 SOP-8 SOP-8
长度 5 mm -
宽度 3.9 mm -
高度 1.75 mm -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free